我國半導體激光器芯片技術研究獲突破 |
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摘要:我國半導體激光器芯片技術研究獲突破 |
![]() 一直以來, 半導體激光器的最大缺點之一便是它較大的發散角以及橢圓形出光光斑,這導致較差的光束質量。而光束質量反映的是激光的可匯聚性,直接影響到實際應用。 研究小組采用雙邊橫向布拉格反射波導結構,該結構通過光子禁帶原理進行光學導波,所限制模式為光學缺陷模式,可以有效壓縮激光的遠場發散角。該類器件結構不僅可以用于量子阱激光器,還可以拓展到不同波長、不同增益介質的半導體激光器,如量子點、量子級聯激光器等。該器件核心結構已經申請國家發明專利4項,目前,研究人員正在抓緊時間優化工藝,進一步提高器件的性能,努力實現實用化。 |
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